发明者:拉尔夫·丹尼尔·雷蒙德
目前美国的分类:313/54;310/303;310/304;313/146;313/148
专利号：2926268
立案日期:1954年12月29日
发行日期:1960年2月23日
本发明涉及电子放电管装置，特别是涉及一种与内部电源相结合的多元件管。
迄今为止管的三极管类型，例如，已经由在其基本形式中，加热器灯丝的，发射极阴极，控制栅极和集电板，阴极，和gride板或阳极构成底座元件。在一个无限各种电路的这样的管已经被连接到外部电源来导出他们的能量源用于加热灯丝并从而驱动阴极。在一些管中的阴极已被加热，而不是直接间接地。在他们的各种环境中，这种管子都非常成功，但他们不得不不必与他们相关的昂贵和笨重的电源的缺点。此外，他们一直相对较短的生活。
本发明克服了这些现有外部供电管中所固有的缺点。事实上，这是本发明的一个目的是提供一种管，其中所述动力源是管本身的一个组成部分。
本发明的另一个目的是提供一种管，其中所述阴极电子源被提供带电粒子发射的放射源所取代。
仍然本发明的另一个目的是提供一种很少或没有热显影的管。
一般而言，本发明的目的是通过代带电粒子发射的放射性源来实现，以及相关的二次电子发射材料，用于多元件管的灯丝和阴极。从次级发光元件驱除的电子，当辐射粒子撞击发光元件，将流向集电板或阳极。中间板和发射器是必需的控制栅和/或抑制网格或栅格。
在结合附图阅读时所要求保护的本发明的上述和其它目的将变得通过说明书的研究清楚。在整个说明书和类似的部件的附图中由相同的标号表示。
图1是根据本发明制造的管的优选实施例的侧剖视图，和
图2是根据本发明的内容制作的管的另一优选实施例的截面侧视图。
现在参照图1，如箭头2指定放射性辐射源1被紧密定位成一个半导体材料3.在从放射性硬质粒子辐射源半导体材料远的一侧被定位在栅格4，以及超出与半导电材料的栅格被定位在板5上。
上述元件被密封在一个密封管6中。引线7和引线8延伸通过管壳，以便通过网格4和板5使管有效利用。在半导体3的周围放置一个集电极9，集电极9具有外部引线10。
为了有效地相对于定位带电粒子发射放射源到半导体5源可以由具有通过封套延伸的部分的绝缘杆11被保持。可以使用在14示意性示出的真空类型的密封件，以便发射的放射性源的轴向位置的，合适的调整，而不会影响制成。
10管的气体状态。1947年2月25日，Hotine的第2,416,318号专利显示并描述了一个可能使用的印章的例子。这是riot的目的是限制，然而，因为很明显，可以设计许多方法来定位源。
在管，原子材料的放射性source1中，如锶90的操作，铀原子裂变的浪费材料发射硬放射线2，其主要是高能量βparticles.-这些通过的适当的成形导向源到一个半导电晶片3这是在靠近辐射源。可能的半导电材料是硅，铅亚硫酸盐，硒和其它类似材料。半导电材料作为的”源：示出为箭头13由放射源发射的高能粒子的初始线速度发射的电子被用于敲电子从二次发射晶片，并且所述电子移动作为流出来朝向集电板在晶片的;二次发射器中的多个二次发射发生并提高了流的密度。由于硅具有其电子债券并没有那么大的那些的其它材料制成，它似乎是一个优选的材料来使用。
作为高能量辐射粒子2次撞击并穿过硅时，它驱动关的估计200000个电子13。由于锶90次发射，每第二大量数十亿颗粒。电子从半导体驱动或晶片3从该源的输出是在第一百万瓦特的性质。它们从晶片3所驱动的电子通过其连接到的信号，在那里它们可被接收并用作整流，放大或振荡信号板上的调制源控制栅定向。此晶片3可以用作透镜的电子引导到板和to'this端可以被适当地成形。
由于电子不断地被逐出晶圆片，它将带正电荷，因此可以通过连接12在晶圆片的边缘进行极化。为了消除来自二次源3的任何杂散电子流，提供了一个集电极9，它将拾起任何杂散电子，并将它们通过引线10引到地面。
现在参照图2中的放射性辐射源1'被定位在部件的一个球形排列的中心。这些包括发射体材料3'，这是在靠近源。围绕发射极3'作为同心球体电网4'和静卧进一步从源是在集电板5'作为同心球体。
所有这些因素，不包括其可以是或可以不是，被保持在间隔开的关系彼此密封的信封6'这也是球形内源的。
该辐射源通过绝缘棒11′向球形元件的几何中心移动并远离该球形元件的几何中心，为了提供对辐射源的访问，设置了一个锥形截面，该锥形截面在组件中形成一个空腔，该辐射源可插入其中。
内的密封的信封而是圆锥形切口腔位于一个截锥形元件...下载完整版本的图像
